Tất cả phương trình điều chế từ C ra Si3N4

Thông tin thêm về phương trình hóa học

Phản ứng cho C (cacbon) tác dụng vói N2 (nitơ) và SiO2 (Silic dioxit) tạo thành CO (cacbon oxit) ,trong điều kiện nhiệt độ 1100-1200

Phương trình để tạo ra chất C (cacbon) (carbon)

2Mg + CO₂ → C + 2MgO 2H₂ + CO₂ → C + 2H₂O C₂H₂ + Cl₂ → C + 2HCl

Phương trình để tạo ra chất N2 (nitơ) (nitrogen)

NH₄NO₂ → 2H₂O + N₂ 3NH₄NO₃ + CH₂ → 7H₂O + 3N₂ + CO₂ 2NH₃ + 3PbO → 3H₂O + N₂ + 3Pb

Phương trình để tạo ra chất SiO2 (Silic dioxit) (silicon dioxide)

H₂SiO₃ → H₂O + SiO₂ 2O₂ + SiH₄ → 2H₂O + SiO₂ O₂ + Si → SiO₂

Phương trình để tạo ra chất CO (cacbon oxit) (carbon monoxide)

C + CO₂ → 2CO C + Cu₂O → CO + 2Cu C + CaO → CaC₂ + CO

Phương trình để tạo ra chất Si3N4 (Trisilic tetranitrua) (Trisilicon tetranitride; Si₃N₄; Silicon nitride(Si₃N₄); Silicon nitride)

NH₃ + 3SiCl₄ → NH₄Cl + Si₃N₄ 2N₂ + 3Si → Si₃N₄ 4NH₃ + 3Si → 6H₂ + Si₃N₄